Entretoises en oxyde d'aluminium (Numéros de référence)

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AOS 3 P

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Pour Transistor Épaisseur Planéité
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Informations de base

Matière AL2O3 - céramique Force Diélectrique 10 kV/mm Résistance Électrique Spécifique >10¹⁴ Ω/cm
Conductibilité Thermique 25 W/m·K Constante Diélectrique 9 Coefficient D'Extension Linéaire ~8·10⁻⁶/K
Résistance Thermique 0,3 K/W [à 1 inch²; = 6,45 cm²; = TO 3 (AOS 3 G)]

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Variantes de ce produit

Référence pièce
10005928
10005930
10005931
10005932
AOS 32
AOS 93
Référence pièceRelatif àPrix unitaire standardQuantité minimale de commandeRemise sur volumeJour
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Pour Transistor Épaisseur Planéité

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1 Devis -3 mm0,01 mm

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1 Devis TO 2201,5 mm0,01 mm

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1 Devis TO 2201,6 mm0,01 mm

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1 Devis TO 2181,5 mm0,01 mm

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1 Devis -1 mm0,01 mm

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1 Devis -1,5 mm0,01 mm

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